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英超下注【科普】Micro-LED技术

文章来源:未知时间:2021-09-05 点击:

  从2014年苹果公司收买Luxvue开端,Micro-LED手艺愈来愈遭到众人的存眷,各大电子巨子公司纷繁规划,很多厂商的眼光投入大批的研发资本和开端并购具有特别手艺的新创公司,Micro-LED卡位战业已打响。

  能够预感,将来Micro-LED 和Mini LED手艺一旦成熟,将关于显现财产供给链带来宏大的改动。

  Micro-LED是将LED构造停止薄膜化、细小化、阵列化,尺寸减少到1~10m阁下,经由过程批量式转移到基板上后再操纵物理堆积完成庇护层和电极,以后停止封装完成Micro-LED的显现。可是建造成显现器,需求全部外表笼盖LED阵列构造,必需将每个像素点停止零丁可控、零丁驱动,操纵垂直交织的正负栅极毗连每个Micro-LED的正负极,顺次通电,经由过程扫描方法点亮Micro-LED停止图形显现。

  Micro-LED显现器是由构成每一个像素的微型LED数组构成。相较于OLED,Micro-LED接纳传统的氮化镓(GaN)LED手艺,可撑持更高亮度、高静态范畴和广色域,以完成快速更新率、广视角与更低功耗。Micro-LED的撑持者声称其团体亮度较OLED高30倍,同时供给更高的每瓦流明服从。

  Micro-LED接纳的是1-10微米的LED晶体,完成0.05毫米或更小尺寸像素颗粒的显现屏;MiniLED(次毫米发光二极管)则是接纳数十微米级的LED晶体,完成0.5-1.2毫米像素颗粒的显现屏。而小间距LED,接纳的是亚毫米级LED晶体,终极完成1.0-2.0毫米像素颗粒显现屏。小间距LED显现屏是指LED点间距在P2.5(2.5毫米)及以下的LED显现屏。

  Micro-LED手艺是2000年由德州理工大学传授Hongxing Jiang和Jingyu Lin领先提出。以后的多年里,环球已有浩瀚厂商投入相干手艺的研发。

  Micro-LED是新一代显现手艺,比现有的OLED手艺亮度更高、发光服从更好、但功耗更低。比现有的LED、小间距LED愈加使用普遍,可完成愈加细致的显现结果。

  假如思索今朝现有手艺才能,Micro-LED有两大使用标的目的,一是可穿着市场,以苹果为代表,据传苹果将在将来的苹果腕表和iPhone上利用Micro-LED手艺;二是超大尺寸电视市场,以Sony为代表,2016年,索尼展出Micro-LED cledis,在分辩率、亮度、比照度上都具有优秀的机能。

  关于一个Micro-LED显现产物,它的根本组成是TFT基板、超微LED晶粒、驱动IC三部门。这三者有一个配合的特性,即大批担当于已有的液晶和LED财产,如可间接担当于LED晶粒(如三安)、半导体显现(如京东方)、IC设想企业(如堆积、奇景)等。因而,Micro-LED手艺能够在现有根底上开展。但Micro-LED的中心手艺倒是纳米级LED的转移,而不是建造LED这个手艺自己。

  从今朝Micro-LED支流手艺途径来看,Micro-LED制作历程次要包罗LED内涵片发展、TFT驱动背板建造、Micro-LED芯片建造、芯片巨量转移四部门构成。

  今朝,Micro-LED在内涵和芯片的枢纽手艺上都需求获得打破。Micro-LED的内涵枢纽手艺包罗三个:波长平均性分歧性、缺点和Particle的掌握、内涵面积的有用操纵。而Micro的芯片枢纽手艺包罗五个:Sub微米级的工艺线宽掌握、芯片侧面泄电庇护、衬底剥离手艺(批量芯片转移)、阵列键合手艺(阵列转移键合)、巨量测试手艺。

  Micro-LED想要从尝试室走向工场,此中的四个枢纽步调尤其主要,包罗:微缩制程手艺、巨量转移手艺、键结手艺(Bonding)、彩色化计划,此中又以微缩制程与转移手艺最为顺手。

  Micro-LED制备需将传统LED阵列化、微缩化后定址巨量转移到电路基板上,构成超小间距LED,以完成高分辩率。全部制程对转移历程请求极高,良率需达99.9999%,精度需掌握在正负0.5m内,难度极高,需求愈加精密化的操纵手艺;

  一次转移需求挪动几万以致几十万颗LED,数目级大幅进步,需求新手艺满意这一请求。以一个4K电视为例,需求转移的晶粒就高达2400万颗(以4000 x 2000 x RGB三色计较),即便一次转移1万颗,也需求反复2400次。

  消费LED芯片常常招致一些细小的“侧壁”破坏,凡是是在250x250微米(um)的LED芯片上呈现约1-2um的缺点。可是,制作Micro-LED所需的LED芯片小至5x5um,2um的侧壁缺点曾经足以招致毁坏性的影响,留下的可用面主动端细小,约莫仅占总芯片尺寸的4%。

  微缩制程手艺是指将原本的LED毫米级的长度微缩至预期目的10m以下,即1-10m,也叫LED芯片手艺。Micro-LED的LED芯片与现有量产的LED红蓝黄芯片比拟,在材质和内涵工艺上通用。不同的地方和响应的手艺难点在于:

  (1)Micro-LED需求用到微米级此外LED制程,现有的LED芯片量产工艺及装备没法满意LED芯片加工请求。

  (2)LED芯片需求做衬底剥离,现有的激光剥离衬底工艺,本钱高、服从低,需求开辟合适于LED芯片的衬底剥离手艺。LED芯片尺寸减少到了10m,可是现有装备的加工极限在100m以上,需求开辟更高精度的工艺和装备。

  巨量转移必需打破的瓶颈包罗装备的精细度、转移良率、转移工夫、制程手艺、检测方法、可重工性及加工本钱。

  (1)转移的仅仅是曾经点亮的LED晶体内涵层,其实不转移原生基底,搬运厚度唯一3%,同时Micro-LED尺寸极小,需求愈加精密化的操纵手艺。

  今朝Micro-LED巨量转移手艺可谓是百花齐放,而且均有差别手艺特征,因而针对差别的显现产物能够会有相对合适的处理计划。

  2018年3月,草创企业X-Celeprint提交了关于他们的微转印手艺(TP手艺)的论文。

  用最简朴的言语来形貌微转印手艺,就是利用弹性印模(stamp)分离高精度活动掌握打印头,有挑选地拾取(pick-up)微型器件的大阵列,并将其打印(安排)到交换基板上。起首,在“源”晶圆上建造微型器件(芯片),然后经由过程移除半导体电路上面的捐躯层得到“开释”。随后,一个微构造弹性印模(与“源”晶圆婚配)被用于拾取微型器件,并将这些微型器件打印(安排)在目的基板上。

  经由过程改动打印头的速率,能够挑选性地调解弹性印模和被打印器件之间的黏附力,终极掌握装配工艺。当印模挪动较快时,黏附力变得很大,得以“拾取”被打印元件,让它们离开基板;相反,英超下注官网当印模阔别键合界面且挪动较慢时,黏附力变得很小,被打印元件便会“离开”,然后“打印”在领受面上。

  印模经由过程设想,能够完成单次拾取和打印操纵,转移不计其数个分立元器件,因而这项工艺流程能够完成大范围并行处置。比方,240平方微米的芯片被安排在间距为250um的晶圆上,需求把芯片“打印”(安排)到间距为2mm的新外表上,印模上的结尾(参考下图转印印模)就会被建造成2mm的间距,然后从晶圆上拾取1、8、16等芯片,一次打印完成后再返来拾取2、9、17等芯片。

  该手艺曾经在浩瀚“可印刷”微型器件中获得考证,包罗激光、LED、太阳能电池和各类IC质料(硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓和包罗金刚石在内的介电薄膜)的集成电路。

  另有超声开释式Micro-LED巨量转移办法,包罗以下步调,A、转移筹办,转移基板程度安排,转移基板的下外表富有弹性膜,Micro-LED晶片粘附在弹性膜的外表,在平放转移基板的上外表的地位设有超声发作单位,在该超声发作单位外表装置有超声换能器;B、挑选对齐,超声发作单位与转移基板上某处Micro-LED晶片对齐,经由过程超声换能器完成间接打仗;C、形变开释,超声感化在某些特定地位时,该处的弹性膜发生变形,在Micro-LED晶片后背拱起,使晶片离开转移基板,在重力感化下跌到目的衬底上;D、连续开释,开释转移基板某处Micro-LED晶片后,超声发作单位挪动到下一开释地位,与该地位上的Micro-LED晶片对齐,开释该处Micro-LED晶片。

  巨量移转手艺为今朝各大厂的专利规划重点,集合在静电吸附、范德华力转印、流体组装、激光剥离、电磁力/磁力、黏附层、真空吸附。磊晶与芯片、全彩化、电源驱动、背板及检测与修复手艺,仍有很多专利规划空间。

  将LED间接停止切割成微米品级的Micro-LED chip(含磊晶薄膜和基板),操纵SMT手艺或COB手艺,将微米品级的Micro-LED chip一颗一颗键接于显现基板上。

  在LED的磊晶薄膜层上用感到耦合等离子离子蚀刻(ICP),间接构成微米品级的Micro-LED磊晶薄膜构造,此构造之牢固间距即为显现像素所需的间距,再将LED晶圆(含磊晶层和基板)间接键接于驱动电路基板上,最初利用物理或化学机制剥离基板,仅剩4~5m的Micro-LED磊晶薄膜构造于驱动电路基板上构成显现像素。

  利用物理或化学机制剥离LED基板,以一临时基板承载LED磊晶薄膜层,再操纵感到耦合等离子离子蚀刻,构成微米品级的Micro-LED磊晶薄膜构造;大概,先操纵感到耦合等离子离子蚀刻,构成微米品级的Micro-LED磊晶薄膜构造,再利用物理或化学机制剥离LED基板,以一临时基板承载LED磊晶薄膜构造。

  最初,按照驱动电路基板上所需的显现像素点间距,利器具有挑选性的转移治具,将Micro-LED磊晶薄膜构造停止批量转移,键接于驱动电路基板上构成显现像素。

  Micro-LED的彩色化是一个主要的研讨标的目的。在现今寻求彩色化和其高分辩率高比照率的严重趋向下,天下上各至公司与研讨机构提出多种处理方法并在不竭拓展中。次要的几种Micro-LED彩色化完成办法,包罗RGB三色LED法、UV/蓝光LED+发光介质法、光学透镜分解法。

  RGB-LED全彩显现显现道理次要是基于三原色(红、绿、蓝)调色根本道理。尽人皆知,RGB三原色颠末必然的配比能够分解天然界中绝大部门颜色。同理,对白色-、绿色-、蓝色-LED,施以差别的电流便可掌握其亮度值,从而完成三原色的组合,到达全彩色显现的结果,这是今朝LED大屏幕所遍及接纳的办法。

  在RGB彩色化显现办法中,每一个像素都包罗三个RGB三色LED。普通接纳键合大概倒装的方法将三色LED的P和N电极与电路基板毗连,详细规划与毗连方法以下图所示。

  以后,利用公用LED全彩驱动芯片对每一个LED停止脉冲宽度调制(PWM)电流驱动,PWM电流驱动方法能够经由过程设置电流有用周期和占空比来完成数字调光。比方一个8位PWM全彩LED驱动芯片,能够完成单色LED的2^8=256种调光结果,那末关于一个含有三色LED的像素实际上能够完成256*256*256=16,777,216种调光结果,即16,777,216种色彩显现。详细的全彩化显现的驱动道理以下图所示。

  可是究竟上因为驱动芯片实践输出电流会和实际电流有偏差,单个像素中的每一个LED都有必然的半波宽(半峰宽越窄,LED的显色性越好)和光衰征象,继而发生LED像素全彩显现的偏向成绩。

  UV LED(紫外LED)或蓝光LED+发光介质的办法能够用来完成全彩色化。此中若利用UV Micro-LED, 则需激起红绿蓝三色发光介质以完成RGB三色配比;如利用蓝光Micro-LED则需求再搭配白色和绿色发光介质便可,以此类推。该项手艺在2009年由香港科技大学刘纪美传授予刘召军传授申请专利并已得到受权(专利号:US 13/466,660, US 14/098,103)。

  发光介质普通可分为荧光粉与量子点(QD: Quantum Dots)。纳米质料荧光粉可在蓝光或紫外光LED的激起下收回特定波长的光,光色由荧光粉质料决议且简朴易用,这使得荧光粉涂覆办法普遍使用于LED照明,并可作为一种传统的Micro-LED彩色化办法。

  荧光粉涂覆普通在Micro-LED与驱动电路集成以后,再经由过程旋涂或点胶的办法涂覆于样品外表。下图则是一种荧光粉涂覆办法的使用,此中(a)图显现一个像素单位中包罗红绿蓝4个子像素,图(b)则显现了Micro-LED点亮后的彩色结果。

  该方法直观易懂却存在不敷的地方,其一荧光粉涂层将会吸取部门能量,低落了转化率;其二则是荧光粉颗粒的尺寸较大,约为1-10微米,跟着Micro-LED 像素尺寸不竭减小,荧光粉涂覆变的越发不服均且影响显现质量。而这让量子点手艺有了大放异彩的时机。

  量子点,又可称为纳米晶,是一种由II-VI族或III-V族元素构成的纳米颗粒。量子点的粒径普通介于1~10nm之间,可合用于更小尺寸的Micro-display。量子点也具有电致发光与光致放光的结果,受激后能够发射荧光,发光色彩由质料和尺寸决议,因而可经由过程调控量子点粒径巨细来改动其差别发光的波长。

  当量子点粒径越小,发光色彩越偏蓝色;当量子点越大,发光色彩越偏白色。量子点的化学身分多样,发光色彩能够笼盖从蓝光到红光的全部可见区。并且具有高才能的吸光-发光服从、很窄的半高宽、宽吸取频谱等特征,因而具有很高的颜色纯度与饱和度。且构造简朴,薄型化,可卷曲,十分合用于micro-display的使用。

  今朝常接纳扭转涂布、雾状喷涂手艺来开辟量子点手艺,即利用喷雾器和睦流掌握来喷涂出平均且尺寸可控的量子点,安装与道理示企图如图所示。将其涂覆在UV/蓝光LED上,使其受激起出RGB三色光,再经由过程颜色配比完成全彩色化,如图所示。

  可是上述手艺存在的次要成绩为各色彩平均性与各色彩之间的互相影响,以是处理红绿蓝三色别离与各色平均性成为量子点发光二极管使用于微显现器的主要困难之一。

  透镜光学分解法是指经由过程光学棱镜(Trichroic Prism)将RGB三色Micro-LED分解全彩色显现。详细办法是是将三个红、绿、蓝三色的Micro-LED阵列别离封装在三块封装板上,并毗连一块掌握板与一个三色棱镜。

  以后可经由过程驱动面板来传输图片旌旗灯号,调解三色Micro-LED阵列的亮度以完成彩色化,并加上光学投影镜头完成微投影。全部体系的什物图与道理图、显现结果如图所示。

  据赛迪研讨院2019年研讨陈述,今朝环球Micro-LED的开辟机构曾经超越140余家。Yole Dveloppement 专利研讨陈述显现,华星光电、京东方、中科院长春景机所、歌尔股分是中国Micro-LED研发较为活泼的企业和机构。别的,三安光电等企业已规划了Micro-LED财产,三安光电将Micro-LED视作将来重点开展标的目的。

  Google在2017年藉由投资瑞典制作商Glo,获得了进入Micro-LED的门票。瑞典的一家网站报道Glo经由过程间接受权Google得到了1,500万美圆,也让Google获得Glo约13%以上的股权。Google投资Glo之举反应业界关于这项得以完成假造理想(VR)眼镜、手机与平板计较机的新兴显现器手艺爱好日趋增长。

  连续串环绕着Micro-LED新创公司睁开大批投资和收买的举动,反应手艺财产永无尽头地寻求新一代显现手艺。

  在这些到场厂商中,Virey察看到,Apple (在收买Luxvue以后)今朝具有最普遍的Micro-LED专利组合。而LG和华为也是壮大的合作敌手。

  Sony一样是Micro-LED手艺的晚期开辟商。该公司自2008年以来努力于Micro-LED的立异,并曾在2012年CES展现55英寸的全高分辩率(Full HD) Micro-LED电视原型。但Virey说,Sony自那次以后的开展重心仿佛转向了大尺寸屏幕的产业/商用市场。

  在已往十年中,三星电子在韩国一共申请了24件Micro-LED专利,三星显现器公司申请了24个专利。

  固然较晚进军Micro-LED市场,三星仍不断“主动地寻觅可收买或受权手艺的公司”,好比投资了30%的公司錼创科技即PlayNitride一切权。该公司具有以Micro-LED芯片建造手艺为首的巨量转移手艺、不良芯片检出和维修手艺。除PlayNitride,三星2018年头还与三安光电(Sanan Optoelectronics)告竣项和谈,方案配合开辟Micro-LED显现器。

  2018年3月2日,国星光电盛大举办“国星Micro&Mini LED研讨中间”揭牌典礼。早在2015年,国星光电就开端规划Mini LED和Micro-LED手艺,今朝已获得阶段性研讨停顿:Mini LED芯片手艺积聚成熟,已具有量产才能;高清Mini LED显现产物已处于试产阶段;P0.5及以下Mini LED显现手艺正在研发中;Mini LED背光方面,正和一些国际厂家协作开辟。下一步,国星Micro&Mini LED研讨中间将在现有研讨功效的根底上,依托和整合LED芯片及LED封装手艺,完成P0.5以下Mini LED显现量产手艺的开辟、Mini LED背鲜明现模组的开辟、柔性曲面Mini LED封装显现手艺的开辟、Micro-LED芯片及相干手艺的开辟

  此中,基于LuxVue中心的微电机体系(MEMS)微芯片转移手艺,而开展出来的转移、组装和互连等专利家属数,就有40多项。别的,苹果也具有如进步Micro-LED芯片服从、颜色转换∕发生、光办理、画数或显现架构、测试,和传感器整合等各项枢纽手艺专利。

  克日外媒报导称苹果 Apple Watch将接纳Micro-LED 显现器,最快2020年推出。今朝,苹果已与錼创、铼宝公司协作,组装Micro-LED 显现器。由錼创供给晶片,铼宝组装显现器。

  看到老敌手三星在Micro-LED电视上的举措后,LG也不甘逞强,抓紧对Micro-LED电视的规划。在2018年的柏林国际电子消耗品博览会(IFA展)上,LG更是间接搬出了一台175英寸“巨无霸”Micro-LED电视,比之前三星公布的146英寸“THE Wall”还要大很多,而且更轻浮。

  而在已往十年中,LG电子公司申请了29个Micro-LED专利,LG显现器公司的申请数目则为35个。

  作为Micro-LED手艺的前驱者,Sony产物规划是以高阶商用型大尺寸显现屏幕产物为次要目的,主打高阶家庭和影戏院投影场景使用,以与OLED合作。像是CES 2017展Sony展出的CLEDIS显现器,恰是以144片Micro-LED拼接而成。

  2016年,Sony改动战略从头推出拼接型显现屏幕,并将该项手艺定名为CLEDIS

  Sony早在CES 2012展中便已推出Crystal LED Display手艺,接纳622万颗微型LED颗粒导入55英寸(1920×1080×3)电视,但造价相称高贵,加上巨量转移相干手艺还没有成熟,致使消费良率低且耗时费工,没法完成量产。2016年Sony改动战略从头推出拼接型显现屏幕,并将该项手艺定名为CLEDIS,建立借由Micro-LED专攻大尺寸显现器市场的战略。

  跟着Micro-LED受业界存眷水平增长,鸿海团体自2017年起主动规划,已投资美国Micro-LED企业eLux,并连续找夏普、群创、荣创入股eLux。统计显现,群创、荣创别离持有13.64%、9.09%股权,凸显鸿海董事长郭台铭对群创与荣创开展Micro-LED高度仰赖。

  2017年5月鸿海对外通告,公司经由过程子公司CyberNet投资约资1,000万美圆获得eLux部门股分,投资后,CyberNet估计将持股45.45%、群创将持股13.64%,荣创将持股9.09%,届时泛鸿海团体将成为eLux最大股东。eLux是一家建立于2016年10月的美国新创公司,注销地点为美国德拉瓦州,而实践所在位于美国华盛顿州南方的小镇Camas。eLux与日本夏普的渊源很深,施行长Jong-Jan Lee与手艺长Paul Schuele均出自夏普美国尝试室(SharpLaboratories of America),连地点也与夏普美国尝试室完整一样。

  此前,鸿海旗下Micro-LED新创公司就流露,流体装配与定位手艺已获得专利,可完成最大装配速率,是手艺一大打破。

  一样对准Micro-LED巨量转移,比利时微电子研发机构爱漂亮科(Imec)传出自动找上从属泛鸿海团体的帆宣,要配合协作开辟“晶粒布植机”尝试机台,让帆宣被看好成为鸿海团体规划Micro-LED的枢纽要角。

  有业界猜测,苹果与鸿海团体合作无懈,群创、荣创将饰演前锋。荣创是鸿海团体主要的LED转投资公司,共同团体资本整合,与群创、夏普等面板客户协作,主动开辟Mini LED背光面板。荣创也正主动开辟Micro-LED手艺,尽力朝量产目的行进。

  业界预期,跟着eLux获得Micro-LED严重手艺打破,群创、荣创等也将饰演要角,尽力助攻鸿海抢苹果新世代面板商机。

  作为中国LED芯片巨子,三安光电在Micro-LED范畴也不甘人后,今朝申请Micro-LED相干专利约27件。

  除和三星告竣计谋协作,为三星面板供给独家供给商外,三安光电还方案成立首条Micro-LED内涵片和芯片消费线。

  有动静称,三安曾经开辟出了直径为20微米的Micro-LED产物;与此同时,三安还将消费4微米LED和10微米的LED倒装芯片。三安方案在2019年年末前开端消费用于智能可穿着装备、100英寸以上大尺寸面板和汽车尾灯等小尺寸面板的Micro-LED产物。

  2019年4月25日,三安光电颁布发表与湖北省葛店经济手艺开辟区办理委员会签署项目投资条约,投资总额120亿元。按照条约商定,三安光电将在湖北省葛店经济手艺开辟区办理委员会辖区内投资创办III-V族化合物半导体项目,次要消费运营Mini/Micro-LED内涵与芯片产物及相干使用的研发、消费、贩卖。据悉,该项目建成达产后,构成年产Mini LED芯片210万片、Micro-LED芯片26万片的研发制作才能。

  2019年头,京东方颁布发表与美国公司 Rohinni 将建立Micro-LED合伙公司,次要展开Mini LED背光处理计划和Micro-LED显现器的研发。据理解,这家合伙公司将设在中国,并将由京东方控股,在早期将专注于大尺寸消耗电子产物(32英寸以上的显现器)和产业,汽车和其他市场。

  2018年,华星光电在第二十届中国国际高新手艺功效买卖会上推出了环球首款基于IGZO-TFT玻璃通明基板的AM-Mini LED RGB全彩显现屏,为开辟大尺寸Micro-LED背板及显现做了很好的打破和树模。

  在2019年美国国际显现周及SID年会展上,华星光电展现了3.5英寸IGZO TFT自动式Micro-LED显现屏,作为环球初次将 IGZO手艺使用于Micro-LED显现的产物。

  2018年3月29日,欧司朗在其官网表露了一则常识产权相干动静。欧司朗光电半导体近来与X-Celeprint签订了手艺和专利答应和谈,且此项和谈触及X-Celeprint公司的Micro-Transfer-Printing (TP)手艺。

  按照LEDinside研讨陈述数据显现,Mini LED显现将使用于电视、手机、车载显现、数字显现(贸易告白与显现等),预估2025年市场范围为10.7亿美圆;而Miro LED显现将使用于电视、手机、AR/VR、车载显现、可穿着电子、数字显现(贸易告白与显现等),预估2025年市场范围为28.9亿美圆。

  而Micro-LED在诸多显现手艺中的良好性不问可知,国表里科技企业、LED企业、显现企业加大对Micro-LED规划,Micro-LED市场无望迎来快速开展。GGII估计Micro-LED将在2020年迎来发作性增加,2020年环球市场范围无望到达14.1亿元。

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